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ASTMD150介電常數(shù)測試儀點擊次數(shù):217
發(fā)布時間:2024-10-19 22:50:02 |
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| Q值范圍 | 2~1023 | 頻率范圍 | 70MHZ |
| 電容范圍 | 1~460pF |
ASTMD150介電常數(shù)測試儀本公司創(chuàng)新的自動Q值讀取技術,使測Q分辨率至0.1Q。
◎ DPLL合成發(fā)生1kHz~70MHz,測試信號。
◎ 低至20nH殘余電感,保證高頻時直讀Q值的誤差較小。
◎ TFT彩頻多參數(shù)顯示:測試頻率,電容值,電感值,Q值,ε和tanδ等。
◎ Q值量程自動/手動量程控制。
◎ 數(shù)字化Q值預置,能提高批量測試的可靠性和速度。
◎ USB通訊接口。

ASTMD150介電常數(shù)測試儀主要技術指標:
2.1 測試信號頻率范圍:1kHz~110MHz,數(shù)字合成,可數(shù)字設置或連續(xù)調節(jié),四位有效數(shù)顯。精度0.05%。
2.2 Q值測量范圍:5~999四位數(shù)顯,分辨率0.1Q。分100、316、999三檔,量程可自動切換。
2.3 Q值固有誤差:±5%±2% 滿刻度值。
2.4 有效電感測量范圍:20nH~5.0H,四位數(shù)顯。
2.5 電感測量誤差:≤3%±20nH
2.6 調諧電容特性:
2.6.1可調電容范圍:28pF~490 pF,四位數(shù)顯,0.1 pF分辨率。
2.6.2 精確度:±0.5% 或±1pF。
2.6.3電容測量范圍:1~450pF,四位數(shù)顯,0.1 pF分辨率,1%或1pF精度。
2.6.4殘余電感值:約20nH。
2.7 Q預置功能:Q預置范圍:5~999均可。被測件達到預置值后有“GO”顯示和蜂鳴聲提示。
不合格件則顯示“NO GO”。
2.8 外形尺寸及重量:415×180×170(mm),7kg。
滿足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數(shù)的推薦方法
概述
介質損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復合材料等的一項重要的物理性質,通過測定介質損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進一步了解影響介質損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);該儀器用于科研機關、學校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應用研究。
測試原理
采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。它以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標準頻率測試點自動設定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉換,數(shù)值顯示等新技術,改進了調諧回路,使得調諧測試回路的殘余電感減至,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術,使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。儀器能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
本測試裝置是由二只測微電容器組成,平板電容器一般用來夾持被測樣品,園筒電容器是一只分辨率高達0.0033pF的線性可變電容器,配用儀器作為指示儀器,絕緣材料的損耗角正切值是通過被測樣品放進平板電容器和不放進樣品的Q值變化,由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時,由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。
儀器的技術指標
信號源 | DDS信號 | ||
頻率范圍 | 10KHz-70MHz | 10KHz-100MHz | 100KHz-160MHz |
Q值測量范圍 | 2~1023 | ||
Q值量程分檔 | 30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔 | ||
電感測量范圍 | 4.5nH-10mH 160M:1nH-140mH | ||
電容直接測量范圍 | 1~460pF 160M:1pF-25uF | ||
主電容調節(jié)范圍 | 30~540pF 160M:17-240pF | ||
電容準確度 | 150pF以下±1.5pF;150pF以上±1% | ||
型號頻率指示誤差 | 1*10-6 ±1 | ||
Q值合格指示預置功能范圍 | 5~1000 | ||

Q值自動鎖定,無需人工搜索
Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃
b.相對濕度:<80%;
c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。
10.其他
a.消耗功率:約25W;
b.凈重:約7kg;
c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。
11.產(chǎn)品配置:
a.測試主機一臺;
b.電感一套;
c.夾具一 套
性能特點:
1. 平板電容器 極片尺寸:φ25.4mmφ50mm 極片間距可調范圍和分辨率:≥10mm,±0.01mm
2. 園筒電容器 電容量線性:0.33pF / mm±0.05 pF長度可調范圍和分辨率:≥0~20mm,±0.01mm
3. 夾具插頭間距:25mm±1mm
4. 夾角損耗角正切值:≤4×10-4(1MHz時)
5、數(shù)顯電極
維修保養(yǎng)
本測試裝置是由精密機械構件組成的測微設備,所以在使用和保存時要避免振動和碰撞,要求在不含腐蝕氣體和干燥的環(huán)境中使用和保存,不能自行拆裝,否則其工作性能就不能保證,如測試夾具受到碰撞,或者作為定期檢查,要檢測以下幾個指標:
1. 平板電容器二極片平行度不超過0.02mm。
2. 園筒電容器的軸和軸同心度誤差不超過0.1mm。
3. 保證二個測微桿0.01mm分辨率。
4. 用精密電容測量儀(±0.01pF分辨率)測量園筒電容器,電容呈線性率,從0~20mm,每隔1mm測試一點,要求符合工作特性要求。

附表一,介質損耗測試系統(tǒng)主要性能參數(shù)一覽表
BH916測試裝置 GDAT高頻Q表
平板電容極片 Φ50mm/Φ25.4mm 可選頻率范圍20KHz-100MHz
20KHz-70MHz
200KHz-160MHz
間距可調范圍≥15mm 頻率指示誤差3×10-5±1個字
夾具插頭間距25mm±0.01mm 主電容調節(jié)范圍30-500/18-220pF
測微桿分辨率0.001mm 主調電容誤差<1%或1pF
夾具損耗角正切值≦4×10-4 (1MHz) Q測試范圍2~1023
薄膜全自動介電常數(shù)測試儀
工頻介電常數(shù)介質損耗測試儀
介質損耗因數(shù)正切值測試儀/介電常數(shù)測試儀